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芯片超纯水设备三级工艺:
级间脱气
除CO₂标配,终端脱气除DO高端专属
集成电路芯片制造用超纯水设备,按预处理、主处理、精处理三级工艺设计。本文详解各阶段核心单元:预处理(多介质+活性炭+软化+5μm保安+加药)→主处理(双级RO+脱气装置:
级间脱气
除CO₂为65nm以上成熟制程标配;终端脱气除DO为28nm以下先进制程必配)→精处理(185nm紫外+核级抛光混床+终端超滤)。强调半导体专属管材分级:EDI前可用316L,EDI后必须用PVDF/PFA杜绝金属离子溶出,区别制药纯水。附全流程闭环工艺总图。帮助芯片厂按制程等级精准配置超纯水设备脱气方案。
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