5G基站芯片、射频前端等精密制造,要求超纯水使用点溶解氧(DO)稳定低于5ppb(极致工艺<1ppb)。常规RO+EDI+抛光混床无法深度脱氧,必须配置专业脱气单元。本文详解三大脱气技术:疏水性中空纤维膜脱气(主流,可达1~3ppb)、真空脱气塔、高纯氮气吹扫。提供完整工艺流程:预处理→二级RO→EDI→真空+氮气辅助膜脱气组→抛光混床→备用脱气膜→终端超滤→PVDF管路+在线旁路循环脱氧。关键设计:99.999%高纯氮气、30~50mbar真空、全域气密性、氮封储罐、痕量DO在线监测(±0.1ppb)。附日常运维要点(防复氧、膜维护、泵体气穴规避)。帮助5G制造企业选型超纯水设备,保障高频器件良率。