集成电路芯片制造用超纯水设备，按预处理、主处理、精处理三级工艺设计。本文详解各阶段核心单元：预处理（多介质+活性炭+软化+5μm保安+加药）→主处理（双级RO+脱气装置：级间脱气除CO₂为65nm以上成熟制程标配；终端脱气除DO为28nm以下先进制程必配）→精处理（185nm紫外+核级抛光混床+终端超滤）。强调半导体专属管材分级：EDI前可用316L，EDI后必须用PVDF/PFA杜绝金属离子溶出，区别制药纯水。附全流程闭环工艺总图。帮助芯片厂按制程等级精准配置超纯水设备脱气方案。